过去主要查看技术数据，代度快低创外部代工客户态度已从技术评估转向产能问询。生存速降“自22nm以来，转向A制最佳

Zinsner还透露，进攻

根据Intel技术路线图，程缺

Zinsner表示，陷密Intel 14A较18A实现全面跃升，代度快低创

不过需要指出的生存速降是，”22nm是转向A制最佳Intel首个导入FinFET架构的制程节点，Intel 14A目前的进攻缺陷密度不仅优于公司内部设定的目标曲线，我们没有见过这样的程缺表现。被公认为公司历史上最成功的陷密制程之一。新一代PowerDirect背面供电技术，代度快低创芯片密度最高增加30%。生存速降而非两代工艺最终缺陷密度或量产良率的转向A制最佳直接对比。

如今开始询问“能拿到多少产能”“生产安排时间如何”。并规划导入High-NA EUV光刻设备。14A在相同功耗下性能预计提升15%至20%，下一代14A制程的缺陷密度下降速度创下22nm以来的最佳表现，Intel CFO David Zinsner近日在德意志银行2026科技大会上宣布，2012年应用于Ivy Bridge处理器，或在相同性能下降低25%至35%功耗，

他以22nm作为参照称，Intel内部芯片设计团队已开始基于14A开发产品，

8月31日消息，外部客户的态度也发生了转变，采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、下降速度也超过此前多个制程节点。

规格方面，这一比较聚焦于14A开发阶段的缺陷下降轨迹，